IRF9520NS-IR

IRF9520NS-IR. RoHS: NINCS. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: F9520. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6.8A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.48 Ohms @ -4A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 14 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 28 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 350pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 48W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 20:25.