IRF9520N

IRF9520N. C(in): 350pF. Kosten): 110pF. Kanaltyp: P. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: P-Kanal-MOSFET-Transistor. Id(imp): 27A. ID (T=100°C): 4.1A. ID (T=25°C): 6.8A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Verlustleistung, max): 48W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.48 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 28 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 100V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 02:25.