IRF8788PBF

Menge	exkl. MwSt	inkl. MwSt
1 - 4	1.48€	1.76€
5 - 9	1.40€	1.67€
10 - 24	1.33€	1.58€
25 - 49	1.25€	1.49€
50 - 99	1.23€	1.46€
100 - 136	1.20€	1.43€

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5 - 9	1.40€	1.67€
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IRF8788PBF. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SO8. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 8:1. Herstellerkennzeichnung: F8788. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 24A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0028 Ohms @ 24A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2.35V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 23 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 23 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 5720pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 2.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 20:25.

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