IRF8707G

IRF8707G. C(in): 760pF. Kosten): 170pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 12 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 88A. ID (T=100°C): 9.1A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 150uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: IRF8707G. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.142 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 7.3 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 4.5V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 20:25.