IRF7807V

IRF7807V. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Integrierter Schaltkreis für DC-DC-Wandler. Id(imp): 66A. ID (T=100°C): 6.6A. ID (T=25°C): 8.3A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 8:1. Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.017 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 11 ns. Td(on): 6.3 ns. Technologie: Power MOSFET. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 17/01/2025, 00:25.