IRF5210SPBF

Menge	exkl. MwSt	inkl. MwSt
1 - 4	4.57€	5.44€
5 - 9	4.34€	5.16€
10 - 24	4.11€	4.89€
25 - 49	3.88€	4.62€
50 - 99	3.79€	4.51€
100 - 365	3.56€	4.24€

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IRF5210SPBF. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, P-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: D²-PAK. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-263. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: F5210S. Drain-Source-Spannung Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -40A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ -24A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: -4V. Einschaltzeit ton [nsec.]: 17 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 79 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2700pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Bestandsmenge aktualisiert am 17/01/2025, 15:25.

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