IRF450

IRF450. C(in): 2700pF. Kosten): 600pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 1600 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Repetitive Avalanche Ratings. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 7.75A. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 150W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.4 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 170 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: HEXFET Leistungs-MOSFET-Transistor. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3 ( TO-204A ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 17/01/2025, 15:25.