IRF3415

IRF3415. C(in): 2400pF. Kosten): 640pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 260 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 150A. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 43A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0042 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 71 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 150V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 17/01/2025, 15:25.