IRF2907Z

IRF2907Z. C(in): 7500pF. Kosten): 970pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 41 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 680A. ID (T=100°C): 60.4k Ohms. ID (T=25°C): 170A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: IRF2907Z. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 330W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.035 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 97 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 75V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 17/01/2025, 15:25.