IRF2903ZS

IRF2903ZS. C(in): 6320pF. Kosten): 1980pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Funktion: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 1020A. ID (T=100°C): 180A. ID (T=25°C): 260A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 20uA. Pd (Verlustleistung, max): 290W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.019 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 48 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 17/01/2025, 15:25.