IRC640

IRC640. C(in): 130pF. Kosten): 430pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Single FET, Dual Source. Id(imp): 72A. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 18A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 5. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.18 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 45 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): HexSense TO-220F-5. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 17/01/2025, 21:25.