IGW75N60H3

IGW75N60H3. C(in): 4620pF. Kosten): 240pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Funktion: Sehr niedrige VCEsat. Kollektorstrom: 140A. Ic(Impuls): 225A. Ic(T=100°C): 75A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: G75H603. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 428W. RoHS: ja. Lieferzeit: KB. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 265 ns. Td(on): 31 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Betriebstemperatur: -40...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.85V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.25V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.1V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5.7V. Spec info: IGBT-Transistor mit „Trench and Fieldstop“-Technologie. CE-Diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 18/01/2025, 00:25.