IGBT transistor SKW30N60HS

IGBT transistor SKW30N60HS. IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: K30N60HS. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 41A. Maximaler Kollektorstrom (A): 112A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 20 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 250 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 250W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Originalprodukt vom Hersteller Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 27/07/2025, 08:25.