IGBT transistor SGP30N60HS. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 122 ns. Einschaltzeit ton [nsec.]: 16 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse: TO-220AB. Herstellerkennzeichnung: G30N60HS. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 41A. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 250W. RoHS: ja. Sammlerspitzenstrom IP [A]: 112A. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:39