IGBT transistor SGH80N60UFDTU. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 130 ns. Einschaltzeit ton [nsec.]: 23 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6.5V. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse: TO-3PN. Herstellerkennzeichnung: SGH80N60UF. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 80A. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 195W. RoHS: ja. Sammlerspitzenstrom IP [A]: 220A. Originalprodukt vom Hersteller: Onsemi (fairchild). Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:16