IGBT transistor IXYK140N90C3. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 9830pF. CE-Diode: nein. Funktion: Hochgeschwindigkeits-IGBT für 20-50-kHz-Schaltung. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE: VGES 20V, VGEM 30V. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Germaniumdiode: nein. Ic(Impuls): 840A. Ic(T=100°C): 140A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: IXYK140N90C3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 900V. Kollektorstrom: 310A. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Kosten): 570pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.7V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 1630W. RoHS: ja. Spec info: ICM TC=25°C, 1ms, 840A. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.15V. Td(off): 145 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: XPT™ 650V IGBT, GenX3™. Trr-Diode (Min.): -. Originalprodukt vom Hersteller: IXYS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 19:59