IGBT transistor IXGH39N60BD1. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 500 ns. Einschaltzeit ton [nsec.]: 25 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5V. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse: TO-247AD. Herstellerkennzeichnung: 39N60BD1. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 76A. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. RoHS: ja. Sammlerspitzenstrom IP [A]: 152A. Originalprodukt vom Hersteller: IXYS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:16