IGBT transistor IRGP4068D-EPBF. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 3025pF. CE-Diode: ja. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4 v. Gate/Emitter-Spannung VGE: 30 v. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AD ). Gehäuse: TO-247. Germaniumdiode: nein. Ic(Impuls): 144A. Ic(T=100°C): 48A. Kanaltyp: N. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Kollektorstrom: 90A. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Kosten): 245pF. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 330W. RoHS: ja. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.65V. Td(off): 165 ns. Td(on): 145 ns. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:35