IGBT transistor IRG4PH40UDPBF
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IGBT transistor IRG4PH40UDPBF. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 90 ns. Einschaltzeit ton [nsec.]: 46 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-247AC. Gehäuse: TO-247AC. Herstellerkennzeichnung: IRG4PH40UD. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 1.2 kV. Kollektorstrom Ic [A]: 41A. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 160W. RoHS: ja. Sammlerspitzenstrom IP [A]: 82A. Originalprodukt vom Hersteller: International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:16
IRG4PH40UDPBF
16 Parameter
Anzahl der Terminals
3
Ausschaltverzögerung tf[nsec.]
90 ns
Einschaltzeit ton [nsec.]
46 ns
Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]
6V
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-247AC
Gehäuse
TO-247AC
Herstellerkennzeichnung
IRG4PH40UD
Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]
1.2 kV
Kollektorstrom Ic [A]
41A
Komponentenfamilie
IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
160W
RoHS
ja
Sammlerspitzenstrom IP [A]
82A
Originalprodukt vom Hersteller
International Rectifier