IGBT transistor IRG4PF50WPBF

IGBT transistor IRG4PF50WPBF. IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-247AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IRG4PF50W. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 900V. Kollektorstrom Ic [A]: 51A. Maximaler Kollektorstrom (A): 204A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 29 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 110 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Originalprodukt vom Hersteller International Rectifier. Bestandsmenge aktualisiert am 25/07/2025, 14:25.