IGBT transistor IKW25N120T2. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 265 ns. Einschaltzeit ton [nsec.]: 27 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6.4V. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse: TO-247. Herstellerkennzeichnung: K25T1202. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 1.2 kV. Kollektorstrom Ic [A]: 25A. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 349W. RoHS: ja. Sammlerspitzenstrom IP [A]: 100A. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:39