IGBT transistor IKW25N120H3FKSA1

Menge

Stückpreis

1-1

13.17€

2-3

11.81€

4-5

10.77€

6-29

9.76€

30+

9.72€

Menge auf Lager: 7

IGBT transistor IKW25N120H3FKSA1. Drain-Source-Spannung: 1200V. Eingebaute Diode: ja. Gehäuse: TO-247AC. Kollektorstrom: 50A. Leistung: 326W. Transistortyp: IGBT-Transistor. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 15:30

Technische Dokumentation (PDF)

IKW25N120H3FKSA1

7 Parameter

Drain-Source-Spannung

1200V

Eingebaute Diode

Gehäuse

TO-247AC

Kollektorstrom

50A

Leistung

326W

Transistortyp

IGBT-Transistor

Originalprodukt vom Hersteller

Infineon Technologies