IGBT transistor IGW60T120

IGBT transistor IGW60T120. IGBT transistor. RoHS: ja. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AC. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: G60T120. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 1.2 kV. Kollektorstrom Ic [A]: 60A. Maximaler Kollektorstrom (A): 150A. Einschaltzeit ton [nsec.]: 50 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 480 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6.5V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 375W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Gehäuse (JEDEC-Standard): NINCS. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.9V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.5V. Originalprodukt vom Hersteller Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 00:25.