IGBT transistor IGW60T120. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 480 ns. Betriebstemperatur: -40...+150°C. C(in): 3700pF. CE-Diode: nein. Einschaltzeit ton [nsec.]: 50 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse (laut Datenblatt): PG-TO-247-3. Gehäuse: TO-247. Germaniumdiode: nein. Herstellerkennzeichnung: G60T120. Ic(Impuls): 150A. Ic(T=100°C): 60A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: G60T120. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 1.2 kV. Kollektorstrom Ic [A]: 60A. Kollektorstrom: 100A. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Kosten): 180pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.4V. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 375W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 375W. RoHS: ja. Sammlerspitzenstrom IP [A]: 150A. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.9V. Td(off): 480 ns. Td(on): 50 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:35