IGBT transistor HGTG20N60B3. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 220 ns. Betriebstemperatur: -40...+150°C. CE-Diode: nein. Einschaltzeit ton [nsec.]: 25 ns. Funktion: UFS Series IGBT. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Gehäuse: TO-247. Germaniumdiode: nein. Herstellerkennzeichnung: HG20N60B3. Ic(Impuls): 160A. Ic(T=100°C): 20A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: HG20N60B3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 40A. Kollektorstrom: 40A. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 165W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 165W. RoHS: ja. Sammlerspitzenstrom IP [A]: 160A. Spec info: Typische Abfallzeit 140 ns bei 150 °C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Td(off): 220 ns. Td(on): 25 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:19