IGBT transistor HGTG20N60A4D. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 73 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. CE-Diode: ja. Einschaltzeit ton [nsec.]: 15 ns. Funktion: SMPS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 7V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 7V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Gehäuse: TO-247. Germaniumdiode: nein. Herstellerkennzeichnung: 20N60A4D. Ic(Impuls): 280A. Ic(T=100°C): 40A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 20N60A4D. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 600V. Kollektorstrom Ic [A]: 70A. Kollektorstrom: 70A. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.7V. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 290W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 290W. RoHS: ja. Sammlerspitzenstrom IP [A]: 280A. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Td(off): 73 ns. Td(on): 15 ns. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:19