IGBT transistor FGL40N120ANDTU. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 110 ns. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 3200pF. CE-Diode: ja. Einschaltzeit ton [nsec.]: 15 ns. Funktion: USV, AC/DC-Motorsteuerungen und Allzweck-Wechselrichter. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 5.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 3.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 7.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 25V. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264-3L. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Germaniumdiode: nein. Herstellerkennzeichnung: FGL40N120AND. Ic(Impuls): 160A. Ic(T=100°C): 40A. Kanaltyp: N. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FGL40N120AND. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 1.2 kV. Kollektorstrom Ic [A]: 40A. Kollektorstrom: 64A. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Kosten): 370pF. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 500W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 500W. RoHS: ja. Sammlerspitzenstrom IP [A]: 160A. Spec info: NPT-Trench IGBT. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.9V...3.15V. Td(off): 110 ns. Td(on): 20 ns. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:41