IGBT transistor FGA40N65SMD-DIóDA. Anzahl der Terminals: 3. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 120ns. Einschaltzeit ton [nsec.]: 16 ns. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 6V. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Gehäuse: TO-3PN. Herstellerkennzeichnung: FGA40N65SMD. Kollektor-Emitter-Spannung Uce [V]: 650V. Kollektorstrom Ic [A]: 40A. Komponentenfamilie: IGBT-Transistor mit eingebauter Hochgeschwindigkeits-Freilaufdiode. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 174W. RoHS: ja. Sammlerspitzenstrom IP [A]: 60.4k Ohms. Originalprodukt vom Hersteller: Onsemi. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:39