HUF75307D3S

HUF75307D3S. C(in): 250pF. Kosten): 100pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 45 ns. Transistortyp: MOSFET. ID (T=25°C): 13A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 75307D. Pd (Verlustleistung, max): 35W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.09 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 35 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: UltraFET Power MOSFET. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-252AA ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 18/01/2025, 01:25.