Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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1N4148

1N4148
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1N4148. Vorwärtsstrom (AV): 200mA. IFSM: 500mA. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. VRRM: 75V. Cj: 4pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 4 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochgeschwindigkeitsdioden. Anderer Name: IN4148. MRT (maximal): 50uA. MRT (min): 25nA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+200°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. Spec info: Ifsm--1us 4A, 1ms 1A, 1s 0.5A. Bestandsmenge aktualisiert am 25/04/2025, 23:25.

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LL4148

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RoHS: ja. Komponentenfamilie: Kleinsignaldiode Oberflächenmontage (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOD80C (MiniMELF). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 0.15A. Ifsm [A]: 2A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 100V. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 25nA..50uA. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 4 ns. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C. Durchlassspannung Vfmax (V): 1V @ 10mA. Gehäuse (JEDEC-Standard): 0.5W
LL4148
RoHS: ja. Komponentenfamilie: Kleinsignaldiode Oberflächenmontage (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOD80C (MiniMELF). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 0.15A. Ifsm [A]: 2A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 100V. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 25nA..50uA. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 4 ns. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C. Durchlassspannung Vfmax (V): 1V @ 10mA. Gehäuse (JEDEC-Standard): 0.5W
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