GBI10J

Menge	exkl. MwSt	inkl. MwSt
1 - 4	1.41€	1.68€
5 - 9	1.34€	1.59€
10 - 24	1.27€	1.51€
25 - 49	1.20€	1.43€
50 - 89	1.17€	1.39€

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5 - 9	1.34€	1.59€
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Set mit 1

GBI10J. Menge pro Karton: 4. Dielektrische Struktur: Diodenbrücke. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 160A. MRT (maximal): 5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: +~~-. Äquivalente: KBJ10J. Anzahl der Terminals: 4. Teilung: 10x7.5x7.5mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SIP / SIL. Gehäuse (laut Datenblatt): 30x20x3.6mm. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.

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