Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Dioden Standard- und Gleichrichterdioden

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FR103. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. VRRM: 200V. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Fast-Recovery-Gleichrichter“. MRT (maximal): 150uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: 30App/8.3ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.2V. Originalprodukt vom Hersteller Taiwan Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 14:25.

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Gehäuse: DO-41. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL )....
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Gehäuse: DO-41. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 600V. RoHS: ja. Cj: 15pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schnelles Umschalten für hohe Effizienz. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.2V. Durchlassspannung Vf (min): 1.2V
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Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO41. VRRM: 200V. Cj: 15pF. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schnelles Umschalten für hohe Effizienz. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 5uA. RoHS: ja. Spec info: 30App/8.3ms. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V
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Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO41. VRRM: 200V. Cj: 15pF. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schnelles Umschalten für hohe Effizienz. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 5uA. RoHS: ja. Spec info: 30App/8.3ms. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V
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