Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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FJAF6810D

FJAF6810D
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5 - 9 3.12€ 3.71€
10 - 24 2.96€ 3.52€
25 - 49 2.79€ 3.32€
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FJAF6810D. Konditionierung: Kunststoffrohr. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: „High V-Farbdisplay Hor Defl (mit Dämpferdiode)“. Maximaler hFE-Gewinn: 8:1. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Kollektorstrom: 10A. Ic(Impuls): 20A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: J6810D. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 60W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 750V. Vebo: 6V. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: Siebdruck J6810. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 30. Spec info: High Switching Speed tF(typ.)=0.1uS. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). CE-Diode: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 18/01/2025, 05:25.

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Ausverkauft
KSC5386TU

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BE-Widerstand: 10. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Menge pro Karton: 1...
KSC5386TU
BE-Widerstand: 10. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: High Switching 0.1us. Maximaler hFE-Gewinn: 22. Minimaler hFE-Gewinn: 8:1. Kollektorstrom: 7A. Ic(Impuls): 16A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5386. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Silicon Transistor“. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 4.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Vebo: 6V. Spec info: VEBO 6V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja
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BE-Widerstand: 10. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: High Switching 0.1us. Maximaler hFE-Gewinn: 22. Minimaler hFE-Gewinn: 8:1. Kollektorstrom: 7A. Ic(Impuls): 16A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5386. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Triple Diffused Planar Silicon Transistor“. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 4.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Vebo: 6V. Spec info: VEBO 6V. Gehäuse: TO-3PF (SOT399). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja
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