FGB20N60SF

Menge	exkl. MwSt	inkl. MwSt
1 - 1	6.83€	8.13€
2 - 2	6.49€	7.72€
3 - 4	6.15€	7.32€
5 - 9	5.81€	6.91€
10 - 19	5.67€	6.75€
20 - 29	5.53€	6.58€
30 - 39	5.33€	6.34€

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Set mit 1

FGB20N60SF. C(in): 940pF. Kosten): 110pF. Kanaltyp: N. Kollektorstrom: 40A. Ic(Impuls): 60A. Ic(T=100°C): 20A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: FGB20N60SF. Pd (Verlustleistung, max): 208W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 90 ns. Td(on): 12 ns. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2-PAK. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4 v. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.5V. Anzahl der Terminals: 2. Funktion: Solarwechselrichter, USV, Schweißgerät, PFC. Hinweis: N-Kanal-MOS-IGBT-Transistor. CE-Diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 18/01/2025, 05:25.

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