Diode STTH1210D, TO-220, TO-220AC, 12A, 80A, 12A, TO-220AC, 1000V

Diode STTH1210D, TO-220, TO-220AC, 12A, 80A, 12A, TO-220AC, 1000V

Menge
Stückpreis
1-4
1.90€
5-24
1.62€
25-49
1.42€
50-99
1.29€
100+
1.08€
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Diode STTH1210D, TO-220, TO-220AC, 12A, 80A, 12A, TO-220AC, 1000V. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AC. Vorwärtsstrom (AV): 12A. IFSM: 80A. Vorwärtsstrom [A]: 12A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 1000V. Anzahl der Terminals: 2. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. Funktion: Ultrafast recovery - high voltage diode. Halbleitermaterial: Silizium. Ifsm [A]: 80A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: STTH1210D. Komponentenfamilie: Schnelle Gleichrichterdiode (tr<500ns). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 10uA..30uA. Maximale Temperatur: +175°C.. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. RoHS: ja. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 90 ns. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 1 kV. Schwellenspannung Vf (max): 2V. Spec info: IFSM--80Ap T=10ms. Temperatur: +175°C. Trr-Diode (Min.): 48 ns. [V]: 1.8V @ 12A. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 03:33

Technische Dokumentation (PDF)
STTH1210D
31 Parameter
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-220AC
Vorwärtsstrom (AV)
12A
IFSM
80A
Vorwärtsstrom [A]
12A
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220AC
VRRM
1000V
Anzahl der Terminals
2
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-65...+175°C
Dielektrische Struktur
Anode-Kathode
Durchlassspannung Vf (min)
1.3V
Funktion
Ultrafast recovery - high voltage diode
Halbleitermaterial
Silizium
Ifsm [A]
80A
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
STTH1210D
Komponentenfamilie
Schnelle Gleichrichterdiode (tr<500ns)
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leckstrom beim Schließen Ir [A]
10uA..30uA
Maximale Temperatur
+175°C.
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
RoHS
ja
Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]
90 ns
Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]
1 kV
Schwellenspannung Vf (max)
2V
Spec info
IFSM--80Ap T=10ms
Temperatur
+175°C
Trr-Diode (Min.)
48 ns
[V]
1.8V @ 12A
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics