Diode SM4007, DO-213, DO-213AB, 1000V, 1A, 1A, 1A, 10A, DO-213AB ( 2.5x5mm )

Diode SM4007, DO-213, DO-213AB, 1000V, 1A, 1A, 1A, 10A, DO-213AB ( 2.5x5mm )

Menge
Stückpreis
10-49
0.0552€
50-99
0.0493€
100-199
0.0434€
200+
0.0374€
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Diode SM4007, DO-213, DO-213AB, 1000V, 1A, 1A, 1A, 10A, DO-213AB ( 2.5x5mm ). Gehäuse: DO-213. Gehäuse (JEDEC-Standard): DO-213AB. VRRM: 1000V. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 1A. Vorwärtsstrom [A]: 1A. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 10A. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-213AB ( 2.5x5mm ). Anzahl der Terminals: 2. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -50...+175°C. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Diodenkonfiguration: unabhängig. Diodentyp: Gleichrichterdiode. Durchlassspannung (max.): <1.1V / 1A. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. Eigenschaften des Halbleiters: "Glas passiviert". Funktion: 1N4007 SMD-Version. Halbleitermaterial: Silizium. Halbleiterstruktur: Diode. Ifsm [A]: 100A. Information: -. Komponentenfamilie: Oberflächenmontierte Gleichrichterdiode (SMD). Konditionierungseinheit: 5000. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 5uA..50uA. Leitungsspannung (Schwellenspannung): 1.1V. MRT (maximal): 50uA. MRT (min): 5uA. MSL: -. Max Rückspannung: 1kV, 1000V. Maximale Temperatur: +175°C.. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Montageart: SMD. Pulsstrom max.: 30A. Reverse-Recovery-Zeit (max.): 1500ns. RoHS: ja. Rückwärtsleckstrom: <50uA / 2000V. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: -. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 1 kV. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Schwellenspannung: 1.1V. Serie: SM40. Spec info: Ifsm 10Ap. Strom fahren: 1A. [V]: 1.1V @ 1A. Originalprodukt vom Hersteller: Diodes Inc. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 08:27

Technische Dokumentation (PDF)
SM4007
46 Parameter
Gehäuse
DO-213
Gehäuse (JEDEC-Standard)
DO-213AB
VRRM
1000V
Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode
1A
Vorwärtsstrom [A]
1A
Vorwärtsstrom (AV)
1A
IFSM
10A
Gehäuse (laut Datenblatt)
DO-213AB ( 2.5x5mm )
Anzahl der Terminals
2
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-50...+175°C
Dielektrische Struktur
Anode-Kathode
Diodenkonfiguration
unabhängig
Diodentyp
Gleichrichterdiode
Durchlassspannung (max.)
<1.1V / 1A
Durchlassspannung Vf (min)
1.1V
Eigenschaften des Halbleiters
"Glas passiviert"
Funktion
1N4007 SMD-Version
Halbleitermaterial
Silizium
Halbleiterstruktur
Diode
Ifsm [A]
100A
Komponentenfamilie
Oberflächenmontierte Gleichrichterdiode (SMD)
Konditionierungseinheit
5000
Konfiguration
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Leckstrom beim Schließen Ir [A]
5uA..50uA
Leitungsspannung (Schwellenspannung)
1.1V
MRT (maximal)
50uA
MRT (min)
5uA
Max Rückspannung
1kV, 1000V
Maximale Temperatur
+175°C.
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Montageart
SMD
Pulsstrom max.
30A
Reverse-Recovery-Zeit (max.)
1500ns
RoHS
ja
Rückwärtsleckstrom
<50uA / 2000V
Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]
1 kV
Schwellenspannung Vf (max)
1.1V
Schwellenspannung
1.1V
Serie
SM40
Spec info
Ifsm 10Ap
Strom fahren
1A
[V]
1.1V @ 1A
Originalprodukt vom Hersteller
Diodes Inc
Mindestmenge
10