Diode RHRP860, TO-220, 8A, 8A, 16A, TO-220AC, 600V

Diode RHRP860, TO-220, 8A, 8A, 16A, TO-220AC, 600V

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5-24
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Diode RHRP860, TO-220, 8A, 8A, 16A, TO-220AC, 600V. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Vorwärtsstrom (AV): 8A. Vorwärtsstrom [A]: 8A. IFSM: 16A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 600V. Anzahl der Terminals: 2. Anzahl der Terminals: 2. Cj: 25pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V. Funktion: Hyperschnelle Diode. Halbleitermaterial: Silizium. Ifsm [A]: 100A. Komponentenfamilie: Schnelle Gleichrichterdiode (tr<500ns). Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 100uA..500uA. Maximale Temperatur: +175°C.. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 30 ns. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 600V. Schwellenspannung Vf (max): 2.1V. Spec info: Ifsm 100App (60Hz). Trr-Diode (Min.): 35us. [V]: 1.7V @ 8A. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 22:14

Technische Dokumentation (PDF)
RHRP860
29 Parameter
Gehäuse
TO-220
Vorwärtsstrom (AV)
8A
Vorwärtsstrom [A]
8A
IFSM
16A
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220AC
VRRM
600V
Anzahl der Terminals
2
Anzahl der Terminals
2
Cj
25pF
Dielektrische Struktur
Anode-Kathode
Durchlassspannung Vf (min)
1.7V
Funktion
Hyperschnelle Diode
Halbleitermaterial
Silizium
Ifsm [A]
100A
Komponentenfamilie
Schnelle Gleichrichterdiode (tr<500ns)
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leckstrom beim Schließen Ir [A]
100uA..500uA
Maximale Temperatur
+175°C.
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
75W
RoHS
ja
Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]
30 ns
Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]
600V
Schwellenspannung Vf (max)
2.1V
Spec info
Ifsm 100App (60Hz)
Trr-Diode (Min.)
35us
[V]
1.7V @ 8A
Originalprodukt vom Hersteller
Fairchild

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