Diode P2000M, R-6, 20A, 20A, 500A, R-6 ( 8x7.5mm ), 1000V

Diode P2000M, R-6, 20A, 20A, 500A, R-6 ( 8x7.5mm ), 1000V

Menge
Stückpreis
1-4
1.31€
5-24
1.11€
25-49
0.99€
50-99
0.92€
100+
0.81€
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Diode P2000M, R-6, 20A, 20A, 500A, R-6 ( 8x7.5mm ), 1000V. Gehäuse: R-6. Vorwärtsstrom (AV): 20A. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 20A. IFSM: 500A. Gehäuse (laut Datenblatt): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1000V. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -50...+175°C. Cj: 110pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Diodenkonfiguration: unabhängig. Diodentyp: Gleichrichterdiode. Durchlassspannung Vf (min): 0.87V. Halbleitermaterial: Silizium. Information: -. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P2000M. MRT (maximal): -. MRT (min): 10uA. MSL: -. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Montageart: THT. Reverse-Recovery-Zeit (max.): 1500ns. RoHS: ja. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Spec info: IFSM--500Ap 50Hz(t=10ms), 550Ap 60Hz(t=8.3ms). Trr-Diode (Min.): 1500 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Diotec Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 08:27

P2000M
25 Parameter
Gehäuse
R-6
Vorwärtsstrom (AV)
20A
Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode
20A
IFSM
500A
Gehäuse (laut Datenblatt)
R-6 ( 8x7.5mm )
VRRM
1000V
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-50...+175°C
Cj
110pF
Dielektrische Struktur
Anode-Kathode
Diodenkonfiguration
unabhängig
Diodentyp
Gleichrichterdiode
Durchlassspannung Vf (min)
0.87V
Halbleitermaterial
Silizium
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
P2000M
MRT (min)
10uA
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Montageart
THT
Reverse-Recovery-Zeit (max.)
1500ns
RoHS
ja
Schwellenspannung Vf (max)
1.1V
Spec info
IFSM--500Ap 50Hz(t=10ms), 550Ap 60Hz(t=8.3ms)
Trr-Diode (Min.)
1500 ns
Originalprodukt vom Hersteller
Diotec Semiconductor