Diode P1000M, R-6, 10A, 10A, 400A, R-6 ( 8x7.5mm ), 1000V. Gehäuse: R-6. Vorwärtsstrom (AV): 10A. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 10A. IFSM: 400A. Gehäuse (laut Datenblatt): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1000V. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -50...+175°C. Cj: 70pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Diodenkonfiguration: unabhängig. Diodentyp: Gleichrichterdiode. Durchlassspannung (max.): <0.9V / 5A. Durchlassspannung Vf (min): 0.9V. Halbleitermaterial: Silizium. Halbleiterstruktur: Diode. Information: -. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P1000M. Konditionierung: Ammo Pack. Leckstrom: 10uA. Leitungsspannung (Schwellenspannung): 1.05V. MRT (maximal): -. MRT (min): 10uA. MSL: -. Max Rückspannung: 1kV. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Montageart: THT. Pulsstrom max.: 400A. Reaktionszeit: 1.5us. Reverse-Recovery-Zeit (max.): 1500ns. RoHS: ja. Rückwärtsleckstrom: 25uA / 1000V. Schwellenspannung Vf (max): 1.05V. Schwellenspannung: 1.05V. Serie: P1000. Spec info: IFSM--800Ap t=10mS. Strom fahren: 80A. Trr-Diode (Min.): 1500 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Diotec Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 08:27