Diode MBR10100, TO-220, 10A, 150A, TO-220AC, 10A, TO-220A-2P, 100V

Diode MBR10100, TO-220, 10A, 150A, TO-220AC, 10A, TO-220A-2P, 100V

Menge
Stückpreis
1-4
0.95€
5-24
0.80€
25-49
0.70€
50-99
0.64€
100+
0.54€
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Diode MBR10100, TO-220, 10A, 150A, TO-220AC, 10A, TO-220A-2P, 100V. Gehäuse: TO-220. Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 150A. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AC. Vorwärtsstrom [A]: 10A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220A-2P. VRRM: 100V. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Durchlassspannung Vf (min): 0.71V. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Halbleitermaterial: Sb. Ifsm [A]: 150A. Komponentenfamilie: Schottky-Gleichrichterdiode. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 100uA..5mA. MRT (maximal): 6mA. MRT (min): 0.1mA. Maximale Temperatur: +175°C.. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. RoHS: ja. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: -. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 100V. Schottky-Diode?: Schottky. Schwellenspannung Vf (max): 0.85V. [V]: 0.8V @ 10A. Originalprodukt vom Hersteller: Taiwan Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 12:43

Technische Dokumentation (PDF)
MBR10100
26 Parameter
Gehäuse
TO-220
Vorwärtsstrom (AV)
10A
IFSM
150A
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-220AC
Vorwärtsstrom [A]
10A
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220A-2P
VRRM
100V
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-55...+150°C
Durchlassspannung Vf (min)
0.71V
Funktion
Schottky-Gleichrichterdiode
Halbleitermaterial
Sb
Ifsm [A]
150A
Komponentenfamilie
Schottky-Gleichrichterdiode
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leckstrom beim Schließen Ir [A]
100uA..5mA
MRT (maximal)
6mA
MRT (min)
0.1mA
Maximale Temperatur
+175°C.
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
RoHS
ja
Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]
100V
Schottky-Diode?
Schottky
Schwellenspannung Vf (max)
0.85V
[V]
0.8V @ 10A
Originalprodukt vom Hersteller
Taiwan Semiconductor

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