Diode DSEI60-12A, 52A, 500A, TO-247, TO-247AD, 1200V

Diode DSEI60-12A, 52A, 500A, TO-247, TO-247AD, 1200V

Menge
Stückpreis
1-4
8.72€
5-14
8.07€
15-29
7.55€
30-59
7.09€
60+
6.29€
Menge auf Lager: 40

Diode DSEI60-12A, 52A, 500A, TO-247, TO-247AD, 1200V. Vorwärtsstrom (AV): 52A. IFSM: 500A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. VRRM: 1200V. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Durchlassspannung Vf (min): 2V. Funktion: „Schnelle Wiederherstellung“. Halbleitermaterial: Silizium. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 189W. RoHS: ja. Schwellenspannung Vf (max): 2.55V. Spec info: 450Ap t=10ms, TVJ=150°C. Technologie: „Epitaxiediode“. Trr-Diode (Min.): 40 ns. Originalprodukt vom Hersteller: IXYS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 11:43

Technische Dokumentation (PDF)
DSEI60-12A
22 Parameter
Vorwärtsstrom (AV)
52A
IFSM
500A
Gehäuse
TO-247
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247AD
VRRM
1200V
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-40...+150°C
Dielektrische Struktur
Anode-Kathode
Durchlassspannung Vf (min)
2V
Funktion
„Schnelle Wiederherstellung“
Halbleitermaterial
Silizium
Konditionierung
Kunststoffrohr
Konditionierungseinheit
30
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
189W
RoHS
ja
Schwellenspannung Vf (max)
2.55V
Spec info
450Ap t=10ms, TVJ=150°C
Technologie
„Epitaxiediode“
Trr-Diode (Min.)
40 ns
Originalprodukt vom Hersteller
IXYS