Diode DSEI12-12A, TO-220, TO-220AC, 11A, 11A, 75A, TO-220AC, 1200V

Diode DSEI12-12A, TO-220, TO-220AC, 11A, 11A, 75A, TO-220AC, 1200V

Menge
Stückpreis
1-4
2.39€
5-24
2.11€
25-49
1.91€
50-99
1.75€
100+
1.53€
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Diode DSEI12-12A, TO-220, TO-220AC, 11A, 11A, 75A, TO-220AC, 1200V. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AC. Vorwärtsstrom [A]: 11A. Vorwärtsstrom (AV): 11A. IFSM: 75A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 1200V. Anzahl der Terminals: 2. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Durchlassspannung Vf (min): 2.2A. Funktion: „Schnelle Wiederherstellung“. Halbleitermaterial: Silizium. Ifsm [A]: 80A. Komponentenfamilie: Schnelle Gleichrichterdiode (tr<500ns). Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 250uA..4mA. Maximale Temperatur: +150°C.. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 78W. RoHS: ja. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 70 ns. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 1.2 kV. Schwellenspannung Vf (max): 2.6V. Spec info: 75Ap t=10ms, TVJ=150°C. Technologie: „Epitaxiediode“. Trr-Diode (Min.): 50 ns. [V]: 2.6V @ 12A. Originalprodukt vom Hersteller: IXYS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 11:43

Technische Dokumentation (PDF)
DSEI12-12A
33 Parameter
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-220AC
Vorwärtsstrom [A]
11A
Vorwärtsstrom (AV)
11A
IFSM
75A
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220AC
VRRM
1200V
Anzahl der Terminals
2
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-40...+150°C
Dielektrische Struktur
Anode-Kathode
Durchlassspannung Vf (min)
2.2A
Funktion
„Schnelle Wiederherstellung“
Halbleitermaterial
Silizium
Ifsm [A]
80A
Komponentenfamilie
Schnelle Gleichrichterdiode (tr<500ns)
Konditionierung
Kunststoffrohr
Konditionierungseinheit
50
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leckstrom beim Schließen Ir [A]
250uA..4mA
Maximale Temperatur
+150°C.
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
78W
RoHS
ja
Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]
70 ns
Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]
1.2 kV
Schwellenspannung Vf (max)
2.6V
Spec info
75Ap t=10ms, TVJ=150°C
Technologie
„Epitaxiediode“
Trr-Diode (Min.)
50 ns
[V]
2.6V @ 12A
Originalprodukt vom Hersteller
IXYS

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