Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode
5A
Gehäuse (laut Datenblatt)
DO-201 ( 7.5x5.4mm )
Betriebstemperatur
-50...+175°C
Dielektrische Struktur
Anode-Kathode
Diodenkonfiguration
unabhängig
Diodentyp
Gleichrichterdiode
Durchlassspannung (max.)
<1.3V / 5A
Durchlassspannung Vf (min)
1.3V
Eigenschaften des Halbleiters
Hochgeschwindigkeitsumschaltung
Funktion
Silizium-Schnellgleichrichterdiode
Halbleitermaterial
Silizium
Komponentenfamilie
Schnelle Gleichrichterdiode (tr<500ns)
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leckstrom beim Schließen Ir [A]
5uA
Leitungsspannung (Schwellenspannung)
1.3V
Maximale Temperatur
+175°C.
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Reverse-Recovery-Zeit (max.)
200ns
Rückwärtsleckstrom
<5uA / 800V
Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]
200 ns
Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]
800V
Schwellenspannung Vf (max)
1.3V
Spec info
Ifsm--200App t=10mS
Originalprodukt vom Hersteller
Diotec Semiconductor