Diode BAW56W, SOT-323, 200mA, 0.15A, 1A, SOT323, 85V. Gehäuse: SOT-323. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Vorwärtsstrom (AV): 200mA. Vorwärtsstrom [A]: 0.15A. IFSM: 1A. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT323. VRRM: 85V. Anzahl der Terminals: 2. Anzahl der Terminals: 3. Cj: 2pF. Dielektrische Struktur: gemeinsame Anode. Durchlassspannung Vf (min): 0.715V. Funktion: Ultra High Speed Switching. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code A1. Ifsm [A]: 4A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: A1. Komponentenfamilie: Duale Kleinsignaldiode, Oberflächenmontage (SMD). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 30nA..150uA. MRT (maximal): 50uA. MRT (min): 0.15uA. Maximale Temperatur: +150°C.. Menge pro Karton: 2. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). RoHS: ja. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 4 ns. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 90V. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Spec info: Ifsm 4.5A t=1us, 1A t=1ms. Temperatur: +150°C. Trr-Diode (Min.): 4 ns. [V]: 0.855V @ 10mA. Originalprodukt vom Hersteller: Philips Semiconductors. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 18:01