Diode BAV21, DO-35 ( SOD27 ), 250V, 0.25A, 0.25A, 0.25A, 1A, DO-35

Diode BAV21, DO-35 ( SOD27 ), 250V, 0.25A, 0.25A, 0.25A, 1A, DO-35

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Stückpreis
10-49
0.0312€
50-99
0.0263€
100-249
0.0232€
250+
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Diode BAV21, DO-35 ( SOD27 ), 250V, 0.25A, 0.25A, 0.25A, 1A, DO-35. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (JEDEC-Standard): -. VRRM: 250V. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 0.25A. Vorwärtsstrom (AV): 0.25A. Vorwärtsstrom [A]: 0.25A. IFSM: 1A. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. Anzahl der Terminals: 2. Anzahl der Terminals: 2. Cj: 5pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Diodenkonfiguration: unabhängig. Diodentyp: Schaltdiode. Durchlassspannung (max.): <1.0V / 0.1A. Durchlassspannung Vf (min): 1V. Funktion: Allzweckdioden. Halbleitermaterial: Silizium. Halbleiterstruktur: Diode. Halbleitertyp: Diode. Hinweis: IFSM--1App tp= 1s, Tj=25°C. Ifsm [A]: 1A. Information: -. Kapazität: 1.5pF. Komponentenfamilie: Kleinsignal-Siliziumdiode. Konditionierung: Ammo Pack. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 100nA..15uA. Leitungsspannung (Schwellenspannung): 1V. MSL: -. Max Rückspannung: 250V. Maximale Temperatur: +200°C.. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Montageart: THT. Pulsstrom max.: 1A. Reaktionszeit: 50ns. Reverse-Recovery-Zeit (max.): 50ns. RoHS: ja. Rückwärtsleckstrom: 100nA / 200V. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 50 ns. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 200V. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Schwellenspannung: 1V, 1.1V. Serie: BAV. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Verpackung: Ammo Pack. [V]: 1V @ 100mA. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 08:15

Technische Dokumentation (PDF)
BAV21
47 Parameter
Gehäuse
DO-35 ( SOD27 )
VRRM
250V
Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode
0.25A
Vorwärtsstrom (AV)
0.25A
Vorwärtsstrom [A]
0.25A
IFSM
1A
Gehäuse (laut Datenblatt)
DO-35
Anzahl der Terminals
2
Anzahl der Terminals
2
Cj
5pF
Dielektrische Struktur
Anode-Kathode
Diodenkonfiguration
unabhängig
Diodentyp
Schaltdiode
Durchlassspannung (max.)
<1.0V / 0.1A
Durchlassspannung Vf (min)
1V
Funktion
Allzweckdioden
Halbleitermaterial
Silizium
Halbleiterstruktur
Diode
Halbleitertyp
Diode
Hinweis
IFSM--1App tp= 1s, Tj=25°C
Ifsm [A]
1A
Kapazität
1.5pF
Komponentenfamilie
Kleinsignal-Siliziumdiode
Konditionierung
Ammo Pack
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leckstrom beim Schließen Ir [A]
100nA..15uA
Leitungsspannung (Schwellenspannung)
1V
Max Rückspannung
250V
Maximale Temperatur
+200°C.
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Montageart
THT
Pulsstrom max.
1A
Reaktionszeit
50ns
Reverse-Recovery-Zeit (max.)
50ns
RoHS
ja
Rückwärtsleckstrom
100nA / 200V
Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]
50 ns
Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]
200V
Schwellenspannung Vf (max)
1.25V
Schwellenspannung
1V, 1.1V
Serie
BAV
Trr-Diode (Min.)
50 ns
Verpackung
Ammo Pack
[V]
1V @ 100mA
Originalprodukt vom Hersteller
Vishay
Mindestmenge
10