Diode BAV199, SOT-23 ( TO-236 ), TO-236AB, 0.16A, 200mA, 500mA, SOT-23 ( TO236 ), 85V. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236AB. Vorwärtsstrom [A]: 0.16A. Vorwärtsstrom (AV): 200mA. IFSM: 500mA. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 85V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. Cj: 2pF. Dielektrische Struktur: Gemeinsame Anode-Kathode (Mittelpunkt). Durchlassspannung Vf (min): 0.9V. Funktion: Dual-Low-Leakage-Diode. Halbleitermaterial: Silizium. Ifsm [A]: 2A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: JYs. Komponentenfamilie: Duale Kleinsignaldiode, Oberflächenmontage (SMD). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 5nA...80nA. MRT (maximal): 80nA. MRT (min): 5nA. Maximale Temperatur: +150°C.. Menge pro Karton: 2. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Produktionsdatum: 2014/49. RoHS: ja. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 3us. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 85V. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Spec info: IFSM--4.5A (tp=1us), 0.5A (tp=1s). Temperatur: +150°C. Trr-Diode (Min.): 0.6us. [V]: 1V @ 10mA. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 08:15