Diode BAS85-GS08, 12.7k Ohms, 30 v, 0.2A, 0.2A, 0.2A, 0.6A, SOD-80C. Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. VRRM: 30 v. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 0.2A. Vorwärtsstrom (AV): 0.2A. Vorwärtsstrom [A]: 0.2A. IFSM: 0.6A. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80C. Anzahl der Terminals: 2. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Cj: 10pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Diodenkonfiguration: unabhängig. Diodentyp: Schottky. Durchlassspannung (max.): <0.80V / 0.1A. Durchlassspannung Vf (min): 0.24V. Funktion: Schnell schaltende Schottky-Barrieredioden aus Glas. Halbleitermaterial: Sb. Ifsm [A]: 0.6A. Information: -. Komponentenfamilie: Schottky-Diode für kleine Signale, SMD-Montage. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 0.2uA..2uA. MRT (maximal): 2uA. MRT (min): 0.2uA. MSL: -. Maximale Temperatur: +150°C.. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Montageart: SMD. Pd (Verlustleistung, max): 200mW. RoHS: ja. Rückwärtsleckstrom: 2uA / 25V. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 5 ns. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 30 v. Schwellenspannung Vf (max): 0.8V. Serie: BAS. Spec info: IFSM 0.6A t=1s. Trr-Diode (Min.): 5 ns. [V]: 0.4V @ 10mA. Originalprodukt vom Hersteller: Vishay. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 18:01