Diode BAS85, 12.7k Ohms, 0.2A, 4A, SOD-80C, 30 v. Gehäuse: 12.7k Ohms. Vorwärtsstrom (AV): 0.2A. IFSM: 4A. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80C. VRRM: 30 v. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -55...+125°C. Cj: 10pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Diodentyp: Schottky-Gleichrichterdiode. Durchlassspannung Vf (min): 0.24V. Funktion: Schnell schaltende Schottky-Barrieredioden aus Glas. Halbleitermaterial: Sb. Halbleiterstruktur: Diode. Leitungsspannung (Schwellenspannung): 0.8V. MRT (maximal): 2uA. Max Rückspannung: 30V. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 200mW. Pulsstrom max.: 5A. RoHS: ja. Schwellenspannung Vf (max): 0.8V. Schwellenspannung: 320mV. Spec info: IFSM--4A t=10ms. Strom fahren: 200mA. Trr-Diode (Min.): 5 ns. Originalprodukt vom Hersteller: Taiwan Semiconductor. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 18:01