Diode BAS45A, 250mA, 1A, DO-34 ( SOD68 ), DO-34 ( 3.4x1.6mm ), 125V

Diode BAS45A, 250mA, 1A, DO-34 ( SOD68 ), DO-34 ( 3.4x1.6mm ), 125V

Menge
Stückpreis
1-4
0.35€
5-49
0.26€
50-99
0.22€
100+
0.20€
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Diode BAS45A, 250mA, 1A, DO-34 ( SOD68 ), DO-34 ( 3.4x1.6mm ), 125V. Vorwärtsstrom (AV): 250mA. IFSM: 1A. Gehäuse: DO-34 ( SOD68 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-34 ( 3.4x1.6mm ). VRRM: 125V. Anzahl der Terminals: 2. Cj: 4pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Durchlassspannung Vf (min): 0.78V. Funktion: Diode mit geringem Leckstrom. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: geringer Rückstrom. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 5000. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. RoHS: ja. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Spec info: IFSM--1A t=1mS, 4A t=1uS. Temperatur: +175°C. Trr-Diode (Min.): 1.5us. Originalprodukt vom Hersteller: Nxp Semiconductors. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 18:01

Technische Dokumentation (PDF)
BAS45A
22 Parameter
Vorwärtsstrom (AV)
250mA
IFSM
1A
Gehäuse
DO-34 ( SOD68 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
DO-34 ( 3.4x1.6mm )
VRRM
125V
Anzahl der Terminals
2
Cj
4pF
Dielektrische Struktur
Anode-Kathode
Durchlassspannung Vf (min)
0.78V
Funktion
Diode mit geringem Leckstrom
Halbleitermaterial
Silizium
Hinweis
geringer Rückstrom
Konditionierung
Rolle
Konditionierungseinheit
5000
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
RoHS
ja
Schwellenspannung Vf (max)
1V
Spec info
IFSM--1A t=1mS, 4A t=1uS
Temperatur
+175°C
Trr-Diode (Min.)
1.5us
Originalprodukt vom Hersteller
Nxp Semiconductors