Diode BAS28, SOT-143, 215mA, 0.215A, 1A, SOT-143, 85V

Diode BAS28, SOT-143, 215mA, 0.215A, 1A, SOT-143, 85V

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Diode BAS28, SOT-143, 215mA, 0.215A, 1A, SOT-143, 85V. Gehäuse: SOT-143. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Vorwärtsstrom (AV): 215mA. Vorwärtsstrom [A]: 0.215A. IFSM: 1A. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-143. VRRM: 85V. Anzahl der Terminals: 4. Anzahl der Terminals: 4. Cj: 1.5pF. Dielektrische Struktur: Unabhängig. Durchlassspannung Vf (min): 0.715V. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Halbleitermaterial: Silizium. Ifsm [A]: 4A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: JTp. Komponentenfamilie: Duale Kleinsignaldiode, Oberflächenmontage (SMD). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 30nA..50uA. Maximale Temperatur: +150°C.. Menge pro Karton: 2. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). RoHS: ja. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 4 ns. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 85V. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Spec info: IFSM--t=1us 4Ap, t=1ms 1Ap.. Temperatur: +150°C. Trr-Diode (Min.): 4 ns. [V]: 0.855V @ 10mA. Originalprodukt vom Hersteller: Philips Semiconductors. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 18:01

Technische Dokumentation (PDF)
BAS28
31 Parameter
Gehäuse
SOT-143
Vorwärtsstrom (AV)
215mA
Vorwärtsstrom [A]
0.215A
IFSM
1A
Gehäuse (laut Datenblatt)
SOT-143
VRRM
85V
Anzahl der Terminals
4
Anzahl der Terminals
4
Cj
1.5pF
Dielektrische Struktur
Unabhängig
Durchlassspannung Vf (min)
0.715V
Funktion
Hochgeschwindigkeitsumschaltung
Halbleitermaterial
Silizium
Ifsm [A]
4A
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
JTp
Komponentenfamilie
Duale Kleinsignaldiode, Oberflächenmontage (SMD)
Konfiguration
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Leckstrom beim Schließen Ir [A]
30nA..50uA
Maximale Temperatur
+150°C.
Menge pro Karton
2
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
RoHS
ja
Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]
4 ns
Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]
85V
Schwellenspannung Vf (max)
1.25V
Spec info
IFSM--t=1us 4Ap, t=1ms 1Ap.
Temperatur
+150°C
Trr-Diode (Min.)
4 ns
[V]
0.855V @ 10mA
Originalprodukt vom Hersteller
Philips Semiconductors
Mindestmenge
10