Diode BAS16LT1G, SOT-23, 100V, 0.2A, 0.2A

Diode BAS16LT1G, SOT-23, 100V, 0.2A, 0.2A

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Diode BAS16LT1G, SOT-23, 100V, 0.2A, 0.2A. Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. VRRM: 100V. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 0.2A. Vorwärtsstrom [A]: 0.2A. Anzahl der Terminals: 3. Diodenkonfiguration: unabhängig. Diodentyp: Switching. Durchlassspannung (max.): 1.25V / 0.15A. Ifsm [A]: 36A. Information: -. Komponentenfamilie: Kleinsignaldiode Oberflächenmontage (SMD). Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 1uA..30uA. MSL: -. Maximale Temperatur: +150°C.. Montageart: SMD. Reverse-Recovery-Zeit (max.): 6ns. RoHS: ja. Rückwärtsleckstrom: 1uA / 100V. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 6 ns. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 75V. Serie: BAS. [V]: 0.855V @ 50mA. Originalprodukt vom Hersteller: Onsemi. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:12

Technische Dokumentation (PDF)
BAS16LT1G
22 Parameter
Gehäuse
SOT-23
VRRM
100V
Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode
0.2A
Vorwärtsstrom [A]
0.2A
Anzahl der Terminals
3
Diodenkonfiguration
unabhängig
Diodentyp
Switching
Durchlassspannung (max.)
1.25V / 0.15A
Ifsm [A]
36A
Komponentenfamilie
Kleinsignaldiode Oberflächenmontage (SMD)
Konfiguration
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Leckstrom beim Schließen Ir [A]
1uA..30uA
Maximale Temperatur
+150°C.
Montageart
SMD
Reverse-Recovery-Zeit (max.)
6ns
RoHS
ja
Rückwärtsleckstrom
1uA / 100V
Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]
6 ns
Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]
75V
Serie
BAS
[V]
0.855V @ 50mA
Originalprodukt vom Hersteller
Onsemi